吴玲：我国第三代半导体技术迎来飞速发展“窗口期”
科技日报记者 李 禾
今年以来，“5G”已经成了高频词。5G 时代的材料发展趋势是什么？新材料产业链需要做哪些变化？5G中高频产业的技术应用挑战是什么？在日前举行的有关5G中高频发展的论坛上，第三代半导体产业技术创新战略联盟理事长吴玲表示，我国在第三代半导体方面有一定的技术基础，有广大的应用市场，未来五年将是我国第三代半导体技术和产业飞速发展的重要窗口期。
“2020年是面向‘十四五’部署科技重点任务的关键之年，关涉中国未来科技发展航向的‘十四五’规划和2035年远景目标正在徐徐展开。”吴玲表示。
TD产业联盟秘书长杨骅表示，面对“关键技术短板”“产业上下游协同不足”的行业现状以及“sub-6G中材料和工艺不足”“毫米波领域设计能力分散、制造产能稀缺”的技术现状，我国企业还需在技术、工艺、材料等方面协同创新，逐步建立我国在该技术领域的产业与技术的竞争优势，为5G全频段网络发展做出贡献。
图：论坛同期，举行了TD产业联盟和第三代半导体产业技术创新战略联盟共促5G产业战略合作签约仪式。
为了把握发展窗口期，突破5G核心材料及关键零部件的研发，开展跨领域技术联合攻关及融合创新，加快5G网络建设及应用，TD产业联盟和第三代半导体产业技术创新战略联盟联合共同发起筹备5G创新委员会，发挥双方优势，共同组织研究机构、生产集成、产业链上、下游等相关企业参与，以共创共享共赢的方式共同推进5G的产业发展。依托双方在各自产业领域平台、资源、人才及专业经验等方面的优势，深入展开多种形式的紧密合作，实现双方在产业、技术、项目和政策资源整合方面的优势互补，共同推动第三代半导体及5G两大战略性新兴产业协同创新发展。
5G是经济社会升级转型的核心信息基础设施，更是国家战略竞争的重要组成部分。在政策、科技和需求三大因素共振背景下，5G中高频器件迎来发展黄金时代。本次论坛邀请院士、专家及企业代表围绕5G新基建发展，共同研讨5G中高频器件与第三代半导体产业的协同融合发展机遇与挑战、创新应用等话题。
中国工程院院士张平，中国电子科技集团公司第十三研究所副总工程师高岭，中国联通研究院无线技术研究中心总监、教授级高给工程师李福昌，清华大学信息科学与技术国家研究中心助理研究员、优镓科技（北京）有限公司联合创始人陈晓凡，西安电子科技大学微电子学院副院长、宽禁带半导体国家工程中心主任马晓华，中国科学院微电子研究所副研究员、北京万应科技有限公司联合创始人孙瑜，华为技术有限公司中国区无线解决方案部总工程师石建等进行了精彩的专业分享。
图：中国工程院院士张平
图：中国电子科技集团公司第十三研究所副总工程师高岭
图：清华大学信息科学与技术国家研究中心助理研究员、优镓科技（北京）有限公司联合创始人陈晓凡
图：中国联通研究院无线技术研究中心总监、教授级高级工程师 李福昌
图：西安电子科技大学微电子学院副院长、宽禁带半导体国家工程中心主任马晓华
图：中国科学院微电子研究所副研究员、北京万应科技有限公司联合创始人孙瑜
图：华为技术有限公司中国区无线解决方案部总工程师石建
图：中国电子科技集团公司第十四研究所高级工程师王华
图：京信通信系统（中国）有限公司副总经理胡应添
图：北京中科汉天下电子技术有限公司董事长兼CEO杨清华
图：苏州锦艺新材料科技有限公司副总经理胡林政
图：北京昂瑞微电子技术有限公司副总经理黄鑫
图：云岫资本董事总经理兼IBD首席技术官赵占祥
图：是德科技5G测量应用技术经理马健锐
